В этой статье представлено устройство - тестер полупроводниковых элементов.   Прототипом этого устройства послужила статья размещенная на одном из немецких сайтов. Тестер с высокой точностью определяет номера и типы выводов транзистора, тиристора, диода и др. Будет очень полезен начинающему радиолюбителю.

Типы тестируемых элементов      (имя элемента - индикация на дисплее):
    - NPN транзисторы - на дисплее "NPN"
    - PNP транзисторы - на дисплее  "PNP"
    - N-канальные-обогащенные MOSFET - на дисплее "N-E-MOS"
    - P-канальные-обогащенные MOSFET - на дисплее "P-E-MOS"
    - N-канальные-обедненные MOSFET - на дисплее  "N-D-MOS"
    - P-канальные-обедненные MOSFET - на дисплее "P-D-MOS"
    - N-канальные JFET - на дисплее "N-JFET"
    - P-канальные JFET - на дисплее "P-JFET"
    - Тиристоры - на дисплее "Tyrystor"
    - Симисторы - на дисплее "Triak"
    - Диоды - на дисплее "Diode"
    - Двух катодные сборки диодов - на дисплее "Double diode CK"
    - Двух анодные сборки диодов - на дисплее "Double diode CA"
    - Два последовательно соединенных диода - на дисплее "2 diode series"
    - Диоды симметричные - на дисплее "Diode symmetric"
    - Резисторы - диапазон от 0,5 К до 500К [K]
    - Конденсаторы - диапазон от 0,2nF до 1000uF [nF, uF]
     При измерении сопротивления или емкости устройство не дает высокой точности
    Описание дополнительных параметров измерения:
    - H21e (коэффициент усиления по току) - диапазон до 10000
    - (1-2-3) - порядок подключенных выводов элемента
    - Наличие элементов защиты - диода - "Символ диода"
    - Прямое напряжение – Uf [mV]
    - Напряжение открытия  (для MOSFET) - Vt [mV]
    - Емкость затвора (для MOSFET) - C= [nF]